NPN与PNP区别和应用

NPN

与

PNP

区别和应用

npn

型的电晶体是以电洞

(

带正电

)

为多数载子，

pnp

则相反是以电子

(

带负电

)

为多数载

子，

而在控制电晶体动作上必须利用电流的顺向偏压或逆向偏压 来操作，

所以在接点所需的

电压大小及正负值必须要正确才能驱 动电晶体的动作

电晶体是一种固态装置元件，它具有体积小、

效率高、寿命长及速度快等优点。近年来

由于技术的进步，

已有大量的耐高压、

能承受大功率的晶体被制造出来，

因此电晶体在功率

放大上，一直扮演着重要的角色。

3-4-1

电晶体的结构

电晶体的结构很像二极体，不过比

二极体多出了一个

接合面。

如图

3-15(a)

所示，

将二层

n

型半导体，

中间夹以一层很薄的

p< /p>

型半导体，即成

npn

型电晶体；或

将二层

p

型半导体，中间夹以一层很薄的

n

型半导体 ，

即成

pnp

型电晶体。将电晶体的三 层晶片都分别列出接线成为电极，中间一片称为基极

(base,b)

< br>，另两极分别称为射极

(emitter,e)

及集极

(collector,c)

。射极 能发射多数载体，基极

可控制流向集极之多数载体的数量。集极则能收集射极发射的多数 载体，如图

3-15(b)

所示，

为电 晶体的符号，射极之箭头向外的为

npn

型；射极之箭头向内的 为

pnp

型。

NPN

和

PNP

主要就是电流方向和 电压正负不同，说得“专业”一点，就是“极性”问

题。

NPN

是用

B

→

E

的电 流（

IB

）控制

C

→

E

的电 流（

IC

）

，

E

极电位最低，且正常放大

时通常

C< /p>

极电位最高，即

VC > VB > VE

PNP

是用

E

→

B

的电 流（

IB

）控制

E

→

C

的电 流（

IC

）

，

E

极电位最高，且正常放大

时通常

C< /p>

极电位最低，即

VC < VB < VE

总之

VB

一般都是在中间，

VC

和

VE

在两边，这跟通常的

BJT

符号中的位置是一

致的，你可以利用这个帮助你的形象思维和记忆。而 且

BJT

的各极之间虽然不是纯电阻，

但电压方向和电流方向同样是一致的，不会出现电流从低电位处流行高电位的情况。

< /p>

如今流行的电路图画法，通常习惯“男上女下”

，哦不对，

“阳上阴下”

，也就是“正电

源在上负电源在 下”

。那

NPN

电路中，

E

最终都是接到地板（直接或间接）

，

C

最终都是接

到天花板（直接或间接）

。

PNP

电路则相反，

C

最终都是接到地板（直接或间接）

，

E

最终

都是接到天花板

（直接或间接）< /p>

。

这也是为了满足上面的

VC

和

VE

的关 系。

一般的电路中，

有了

NPN

的，你就可以按“上下对称交换”的方法得到

PNP

的版本。无论何时，只要满

足上面的

6

个“极性”关系（

4

个电流方向和

2< /p>

个电压不等式）

，

BJT

电路就可能正常工作。

当然，

要保证正常工作，

还必须保证这些电压、

电流满足一些进一步的定量条件，

即所谓

“工

作点”条件。

对于

NPN

电路：

对于共射组态，可以粗略理解为把

VE

< br>当作“固定”参考点，通过控制

VB

来控制

VBE

（

VBE=VB-VE

）

，从而控制

IB

，并进一步控制< /p>

IC

（从电位更高的地方流进

C