-
页眉内容
金属前介质层（
PMD
）
金属间介质层（
IMD
）
W
塞
（
W
PLUG
）
钝化层（
Passivation
）
acceptor
受主，如
B
，掺入
Si
中需要接受电子
< br>
Acid
：酸
actuator
激励
ADI After
develop inspection
显影后检视
AEI After
etching inspection
蚀科后检查
AFM atomic
force microscopy
原子力显微
ALD atomic
layer deposition
原子层淀积
Align
mark(key)
：对位标记
Alignment
排成一直线，对平
Alloy
：合金
Aluminum
：铝
Ammonia
：氨水
Ammonium
fluoride
：
NHF
Ammonium
hydroxide
：
NHOH
Amorphous silicon
：
α
-Si
，非晶硅（不是多晶硅）
amplifier
放大器
AMU
原子质量数
Analog
：模拟的
analyzer magnet
磁分析器
Angstrom
：
A
（
E-m
）埃
Anisotropic
：各向异性（如
POL
Y
ETCH
）
Antimony(Sb)
锑
arc chamber
起弧室
ARC
：
anti-reflect coating
防反射层
Argon(Ar)
氩
Arsenic
trioxide(AsO)
三氧化二砷
Arsenic(As)
砷
Arsine(AsH)
ASHER
一种干法刻蚀方式
Asher
：去胶机
ASI
光阻去除后检查
ASIC
特定用途集成电路
Aspect ration
：形貌比（
ETCH
中的深度、宽度比）
ATE
自动检测设备
Back end
：后段（
CONTACT
以后、
PCM
< br>测试前）
Backside Etch
背面蚀刻
Backside
晶片背面
Baseline
：标准流程
Beam-Current
电子束电流
Benchmark
：基准
BGA ball grid
array
高脚封装
Bipolar
：双极
Boat
：扩散用（石英）舟
Cassette
装晶片的晶舟
CD
：
critical
dimension
关键性尺寸，临界尺寸
Chamber
反应室
Chart
图表
Child lot
子批
chiller
制冷机
Chip (die)
晶粒
Chip
：碎片或芯片。
clamp
夹子
CMP
化学机械研磨
Coater
光阻覆盖（机台）
Coating
涂布，光阻覆盖
Computer-aided design
（
CAD
）
：计算机辅助设
计。
Contact Hole
接触窗
Control Wafer
控片
Correlation
：相关性。
Cp
：工艺能力，详见
process
capability
。
Critical layer
重要层
CVD
化学气相淀积
Cycle time
生产周期
Defect
density
：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。
Defect
缺陷
DEP deposit
淀积
Depth of focus<
/p>
（
DOF
）
：焦
深。
Descum
预处理
Developer
显影液；显影（机台）
developer
：Ⅰ）显影设备；
Ⅱ）显影液
Development
显影
DG dual gate
双门
DI filter
离子交换器
DI water
去离子水
Diffusion
扩散
disk
靶盘
disk/flag faraday
束流测量器
Doping
掺杂
Dose
剂量
Downgrade
降级
DRC design rule check
设计规则检查
Dry Clean
干洗
Due date
交期
Dummy wafer
挡片
E/R etch rate
蚀刻速率
EE
设备工程师
ELS extended
life source
高寿命离子源
enclosure
外壳
1
页脚内容
页眉内容
BPSG
含有硼磷的硅玻璃
Break
中断，
stepper
机台内中途停止键
< br>
cassette
晶片盒
End Point
蚀刻终点
e-shower
中性化电子子发生器
ET etch
蚀刻
Exhaust
排气（将管路中的空气排除）
Exposure
曝光
extrantion electrode
高压吸极
FAB
工厂
fab
：常指半导体生产的制造工厂。
FIB focused ion
beam
聚焦离子束
Field Oxide
场氧化层
filament
灯丝
film
：薄膜，圆片上的一层或
多层迭加的物质。
flat aligener
平边检测器
flat
：平边
flatband
capacitanse
：平带电容
flatband
voltage
：平带电压
Flatness
平坦度
flow
coefficicent
：流动系数
flow
velocity
：流速计
flow
volume
：流量计
flux
：单位时间内流过给定面积
的颗粒数
Focus
焦距
forbidden
energy gap
：禁带
Foundry
代工
four-point
probe
：四点探针台
FSG
含有氟的硅玻璃
functional
area
：功能区
Furnace
炉管
gate oxide
：栅氧
glass
transition temperature
：
玻璃态转换温度
GOI gate oxide integrity
门氧化层完整性
gowning
：净化服
gray
area
：灰区
gyro drive
两方向偏转
hard
bake
：后烘
，坚烘
,soft bake
(
软烘
)
HCI hot carrier injection
热载流子注入
HDP
：
high density
plasma
高密度等离子体
heat exchange
热交换机
High-V
oltage
高压
host
：主机
Hot bake
烘烤
metal n
金属
ICP inductive couple plasma
Metal Via
金属接触窗
感应等离子体
MFG
制造部
ID
辨认，鉴定
Mid-Current
中电流
IGBT
绝缘门双极晶体管
Module
部门
images
：去掉图形区域的版
nanometer (nm) n
：纳米
implant
注入
nanosecond (ns) n
：纳秒
Implant
植入
NIT SiN
氮化硅
impurity n
掺杂
nitride etch n
：氮化物刻蚀
impurity
：杂质
nitrogen (N )
n
：
氮气，一种双原子
inductive coupled
plasma(ICP)
：感应等离子体
气体
Non-critical
非重要
inert gas
：惰性气体
NP n-doped
plus(N+) N
型重掺杂
initial
oxide
：一氧
n-type adj
：
n
型
insulator
：绝缘
NW n-doped well
N
阱
isolated line
：隔离线
OD oxide
definition
定义氧化层
junction
结
ohms
per
square
n
：欧姆每平方
方
junction
spiking n
铝穿刺
块电阻
kerf
划片槽
OM optic
microscope
光学显微镜
landing pad n PAD
OOC
超出控制界线
Layer
层次
OOS
超出规格界线
LDD lightly
doped drain
orientation n
：
晶向，
一组晶列所指
轻掺杂漏
的方向
liner drive
直线往复运动
Over Etch
过蚀刻
lithography n
制版
loadlock valve
靶盘腔装片阀
Over flow
溢出
Local defocus
局部失焦因机
overlap n
：
交迭区
Overlay
测量前层与本层之间曝光
台或晶片造成之脏污
的准确度
LOCOS local oxidation
of silicon
局部氧化
OX SiO
二氧化硅
P poly
多晶硅
Loop
巡路
Lot
批
PA; passivation
钝化层
Parent lot
母批
LP(
低压
)
淀积多晶硅（
LPPOL
Y
）
mainframe
主机
Particle
含尘量
/
微尘粒子
maintainability, equipment
PH photo
黄光或微影
设备产能
phosphorus
(P)
n
：磷
，一种有毒
maintenance
n
保养
的非金属元素
majority carrier n
photomask n
：
光刻版，
用于光刻的
多数载流子
版
Mask (reticle)
光罩
photomask,
negative n
：反刻
masks, device series of n
photomask,
positive n
：正刻
一成套光刻版
Pilot
实验的
material n
原料
PVD
物理气相淀积
matrix n
矩阵
PW p-doped well
P
阱
mean n
平均值
quad rupole lens
磁聚焦透镜
measured
leak rate n
测得漏率
quartz carrier n
石英舟。
median n
中间值
Queue time
等待时间
memory n
记忆体
内
层介电层（
ILD
）
、
Merge
合并
内金
属介电层（
IMD
）
2
页脚内容
页眉内容
hot carriers
：热载流子
hydrophilic
：亲水性
hydrophobic
：疏水性
Ground Bounce
地弹反射
pn junction
n
：
pn
结
BIST,Built-in Self Test
内建的自测试
GUI,Graphical
User
Interface
图
Pod
装晶舟与晶片的盒子
Bus Route
总线布线
形用户界面
Polymer
聚合物
Carbide
碳
Harmonica
射频微波电路仿真
POR Process of record
circuit diagram
电路图
HFSS
三维高频结构电磁场仿真
post accel
后加速器
Plasma
电浆
Circuit
电路基准
HMDS (
六甲基二硅胺
)
：涂胶前
PMD premetal
dielectric
电容
Clementine
专用共形开线设计
处理，增加圆片衬底与光刻胶的
PP p-doped
plus(P+) P
型重掺杂
Cluster Placement
簇布局
粘附性
PR Photo resisit
光阻
CM
合约制造商
IC Integrate Circuit
集成电路
PR photo resist
光阻
COF Chip On
FPC
将
IC
固定于柔性线路板上<
/p>
Image Fiducial
电路基准
pure water n
纯水。
COG Chip On
Glass
将芯偏固定于玻璃上
Impedance
阻抗
半导体生产中所用之水。
Common Impedance
共模阻抗
In-Circuit-Test
在线测试
PVD
物理气相淀积
component video -
分量视频
Initial Voltage
初始电压
PW p-doped well
P
阱
Composite video -
复合视频
Input Rise Time
输入跃升时间
quad rupole lens
磁聚焦透镜
Concurrent
并行设计
Inverter -
逆变器
quartz carrier n
石英舟。
Constant Source
恒压源
Jumper
跳线
Queue time
等待时间
Cooper Pour
智能覆铜
LCD Liquid Crystal Display
液晶
QTIME-
DUMMY
：从此步骤到
Crosstalk
串扰
显示
下一个步骤一共停留的时间范
CRT
Cathode Radial Tude
阴极射线管
LCM
Liquid
Crystal
Module
液
围（超出范围会出问题）
DC Magnitude
直流幅度
晶模块
显影前烘焙
(PEB)
：
降低或消除
Delay
延时
LED
Light
Emitting
Diode
发光
驻波效应
Delays
延时
二极管
R/C runcard
运作卡
Design for
Testing
可测试性设计
Linear Design Suit
线性设计软件
SOG
是一种相当简易的平坦化技
Designator
标识
术。因为介电层材料是以溶剂的
DOF
焦深
Depth Of Focus
，区分
IDOF
、
UDOF
包
Local Fiducial
个别基准
形态覆盖在硅片表面，因此
前者只有中心，后者包括四角
manufacturing
制造业
SOG
对高低起伏外观的
“
沟
DFC,Design for Cost
面向成本的设计
MCMs,Multi-Chip
Modules
多芯
填能力
”
非常好，
可以避免纯粹
DFR,Design for
Reliability
面向可靠性的设计
片组件
以
CVD
法制作介质层时所面
DFT,Design for Test
面向测试的设计
MDE,Maxwell
Design
临的孔洞问题
DPI Dot Per Inch
点每英寸
Environment
Spacer
：
SPACER
工艺是通
DSM,Dynamic
Setup Management
动态设定管理
Merge
合并
过
LPTEPS ETCH BACK
，
DVI Digital
Visual Interface
（
VGA
）数字接口
MFG
制造部
在
PLOY
侧壁形成两个侧壁
Dynamic Route
动态布线
Nonlinear
Design
Suit
非线性设
突出的工艺，用于源漏区注
Electro Dynamic Check
动态电性能分析
计软件包
入的自对准和减少由于源
Electromagnetic Disturbance
电磁干扰
NVT
：
N MOS
调阈值电压
漏横向扩散形成的沟道效应。
Electromagnetic Noise
电磁噪声
ODB++
Open
Data
Base
公开数
LPTEOS
主要用于
SPACER
及
EMC,Elctromagnetic Compatibilt
电磁兼容
据库
EMI,Electromagnetic Interference
电磁干扰
电容氧化层。
OEM
原设备制造商
Emulation
硬件仿真
OLE
Automation
目标连接与嵌
TEOS =
Si
（
O
C2H5
）
4
Ensemble
多层平面电磁场仿真
入
ESD
静电释放
名称：正硅酸乙脂，又称
On-
line DRC
在线设计规则检查
Expansion
膨胀
ONO
：氧化层
-
氮化层
-
氧化层介
四乙氧基硅烷
Fall Time
TM top mental
下降时间
质；用作电容介质
顶层金属层
False Clocking
假时钟
下冲
Si
（
O
C2H5
）
4
→
Optimetrics
优化和参数扫描
Undershoot
FEP
氟化乙丙烯
OSD
On
Screen
Display
在屏上
Uniform Distribution
均匀分布
FFT,Fast Fourier Transform
显示
Overshoot
过冲
Variant
派生
快速傅里叶变换
Float License
网络浮动
PAC
感光化合物
VDMOS( Vertical conduction
Double scattering Metal Oxide Semiconductor)
垂直
3
页脚内容
Frequency Domain
频域
Panel fiducial
板基准
导电双扩散型晶体管
Gaussian
Distribution
高斯分布
视频图形陈列
VGA Video Graphic Anay
VIA-Vendor Integration Alliance
程序框架联盟
页眉内容
SiO2 +4C2H4 +2H2O
它的设备结构和
LPSi3N4
基本类似。
Under Etch
蚀刻不足
USG undoped
硅玻璃
vacuum
真空。
vaporizer
蒸发器
W (Tungsten)
钨
watt(W)
瓦。能量单位。
WEE
周边曝光
well
阱。
wet chemical
etch
湿法化学腐蚀
。
wrench
扳手
专业术语
A/D [
军
]
AnalogDigital,
模拟
/
数字
AC Magnitude
交流幅度
AC Phase
交流相位
Accuracy
精度
Activity Model
活动模型
Additive Process
加成工艺
Adhesion
附着力
Aggressor
干扰源
Analog Source
模拟源
AOI,Automated Optical
Inspection
自动光学检查
ASIC
特殊应用集成电路
Assembly Variant
不同的
装配版本输出
Attributes
属性
AXI,Automated X-ray
Inspection
自动
X
光检查
Backlight -
背光
PDP Plasma Display Panel
等离子显示屏
Period
周期
Periodic Pulse Source
周期脉冲源
Phase Alrernating Line
PAL
制式（逐行倒相制式）
Physical Design Reuse
物理设计可重复
PI,Power Integrity
电源完整性
Piece-Wise-linear Source
分段线性源
POD
装晶舟和晶片的盒子
Preview
输出预览
PSG
硼硅玻璃
Pulse Width
脉冲宽度
Pulsed V
oltage
脉冲电压
4
页脚内容