-egoist
集成
电
路
型
号
含
义
1
．国产集成电路
第一部分
国产
IC
符号
意义
符号
第二部分
类
型
意义
T
TTL
材料
H
HTL
材料
E
ECL
材料
C
CMOS
材料
与国际
C
中国制造
D
音晌、电视器件
数字
同类品
种一致
W
稳压器件
J
接口器件
B
非线性器件
M
存储器
U
微处理器
F
放大器
第三部分
第四部分
意义
符号
第五部分
封装
意义
W
陶瓷扁平
B
塑料扁平
F
全密封扁平
D
陶瓷双列直插
P
塑料双列直插
H
玻璃扁平
J
黑陶瓷双列直插
K
金属菱形
T
金属圆形
系列与序号
工作温度范围
符号
意义
符号
C
0~70
E
-40~85
R
-55~85
M
-55~125
国产
IC
各厂家会采用不同的前缀作为本厂标志（详情请看
IC
前缀与厂家介绍）
，同类产品序号也不一样，有的
IC
型号、序号与引进的一样。
2
．日本松下公司半导体集成电路型号的命名
1).
双极型线性集成电路：
第
1
部分
第
2
部分
第
3
部分
第
4
部分
2
个字母
2
个数字
2
个数字
1
个字母
例
AN 12 34 S
a.
第
1<
/p>
部分：双极型集成电路有两个标志（包括
AN
及
DN
）是按照电路类型而划分的，双极型集成电路、线<
/p>
性集成电路（模拟电路）
：
AN
、数字集成电路：
DN
、
MOS
电路：
MN
、
EP
两个字母表示微型计算机或小批量
生产
b.
第
2
部分：这部分数字与应用领域有关（有一些例
外）
，对于专用集成电路，在数字后面加上
1
< br>～
2
个字母作
为特性的区分（常
规的集成电路不用这些字母。对于稳压电源，根据其输出电流值使用
L
< br>、
M
及
N
中的一个字
母或根本不用字母，例：
AN78L04
。对于三极管阵列，根据其电流值或耐压值使用字母
A
< br>、
B
、
C
等中的一个字
母，例
ANB00
。第
2
部分的数字与其应用领域有关
,
例：
第
2
部分数字
应用领域
10
～
19
运算放大器、比较电路
20
～
25
摄像机
50
～
59
电视机
90
三极管阵列
26
～
29
电视唱片
60
～
64
录像机及音响
30
～
39
录像机
65
运算放大器及它
78
～
80
稳压器
40
～
49
运算放大器
66
～
68
工业用及家用电器
81
～
83
工业用及家用电器
69
比较器及其它
70
～
76
音响方面的用途
c.
第
3<
/p>
部分：用二位数字，其范围一般为
00
～
99
，例如
AN4321
d.
第
4<
/p>
部分：一般不用这部分，但在集成电路功能几乎相同而封装不同时或者是改进型，这种情况
下大致用大
致字母
S
、
P
、
N
。
例
AN×
×
×
×
S
：字母
S
是指小型扁平封装；
?AN×
×××K
：使用收缩双列直插式封装；
?AN××××P
：使用普通塑料
封装；
?
AN×
×
×
×
N
：字母
N
表示改进型
e.
其它：
OM200
：
（助听
器）是上述线性集成电路标志的例外。
2
）数字集成电路：
DN68×
×
（
4
个数字）
：霍尔元件集成电路（
3
端）
DN84×
×
（
4
个数字）
：逻辑集
成电路
DN85×
×
（
4
个数字）
：预定标电路等
DN86×
×
（
4
个数字）
：三极管阵列
DN74LS×
×
（
×
）
：通用型小功率
< br>TTL
电路系列（
LSTTL
）
74
表示通用型，该系列
LSTTL<
/p>
最多可用三位数字
3).
MOS
集成电路：
第
1
部分
??
第
2
部分
??
第
3
部分
2
个字母
?
4
或
5
个数字
?
1
～
3
个字母
例
MN 8037 S
a.
第
1
部分：
MN
两个字母表示松下公司的
MOS
集成电路
,EP
两个字母表示
微型计算机或小批量生产对于高
速标准逻辑电路，在这部分用标志
74HC
作为数字的前缀，此时，可用
2
～
4
个数字。
< br>b.
第
2
部分：这部分所用的数
字表明应用领域，例：
第
2
部分的数字
应用领域
1000
～
1999
< br>※
1
微型计算机及外围大规模集成电路可变只读存贮器
2000
～
2999
※<
/p>
2
掩膜只读存贮器，电可编程只读存贮器
3000
～
3399
漏斗式电荷耦合器件（
BBD
）
3600
～
3699
电荷耦合器件（
CCD
）线性图像传感器
3700
～
3799
电荷耦合器件（
CCD
）固态图像似感
器
3800
～
3899
电荷耦合器件（
CCD
）视频信号延迟元件
4000
～
4999
CMOS4000
系列存贮器（动态随机存取存贮器，静态随机存取存贮器）
5000
～
5999
计算器
6000
～
6999
视频、时钟、通讯
7000
～
7999
特别用途
8000
～
8999
通讯、控制器、电荷耦合器件
9000
～
9999
――
5000
～※
3
门阵列
70000
～
CMOS
标准电池
< br>※
1
．关于微型计算机，根据其功能可使用
5
位数字，
MN512K
（
图像传感器）只有
3
位数字。
2
．关于通用存贮器，
有时可用
5
位或
6
位数字（与其它公司共同的数字）
。
例：
MN412
56……256K
位动态随机存取存贮器
MN234000……4
兆位掩膜可编程只读存贮器
3
．关于门阵列（用<
/p>
5
位数字表示
50000
－）其最后
2
位表示门电路数目。
例：
MN51040……40
00
个门电路。
c
< br>．第
3
部分：这部分一般不用，除了功能相同而包装不同
用来区分其封装型式（通常为
P
或
S<
/p>
）或是基本功能
相同只少许功能不同作为区分时（通常用
A
、
B
、
C
等）
。
封装的分类：
例
1
：
MN×
×
×
×
P
，字母
“P”
表示以前为陶瓷或金属封装，现已改为塑料封装。
例
2
：
MN×
×
×
×
S
，字母
“S”
表示小型扁平封装。
3.
日本索尼公司集成电路通用命名法：
第
1
部分
<
/p>
??
第
2
部分<
/p>
??
第
3
部分
??
第
4
部分
2
个字母
??2
位数字
?2
～
3
位数字
??1
个字母
例
CX 20 011 A
a.
第
1
部分：索尼公司集成电路标志。
b.
第
2
部分：用
1
< br>～
2
位数字表示产品分类，双极型集成电路用，
0
、
1
、
8
、
10
、
20
、
22
；
MOS
型集成电路用，
5
、<
/p>
7
、
23
、
79
。
c.
第
3
部分：表示单个产品编号。
d.
第
4
部分：特性有部分改进时加上
A
字。
2)
索尼公司集成电路新命名法。
第
1
部分
<
/p>
??
第
2
部分<
/p>
??
第
3
部分
??
第
4
部分
??
第
5
部分
2
个字母
??
1
个字母
??
4
位数字
??1
个字母
??
1
个字母
例
CX A 1001 A P
a.
第
1
部分：索尼公司集成电路标志。
b.
第
2
部分：产品分类标志，
A
为双极型集成电路、
B
为双极型数
字集成电路、
D
为
MOS
逻辑集成电路、
K
为存贮器、
P
、
Q
为微型计算机、
L
为
CCD
电荷耦合器件信
号处理电路。
c.
第
3
部分：表示单个产品编号。
d.
第
4
部分：特性有改进时标
A
。
e.
第
5
部分：封装标志，
P
为塑料封装双列直插式、
D
为陶瓷封装双列直插式、
M
为小型扁平封装、
L
为单列
直插式封
装、
Q
为四列扁平封装、
S
为收缩型双列直插式封装、
K
为无引线芯片载体。
3)
索尼公司混合集成电路通用命名法：
第
1
部分
第
2
部分
第
3
部分
2
个字母
4
位数字
1
个字母
例
BX
×
×
×
×
×
第
1
部
分为索尼公司混合集成电路标志，第
2
部分表示单个产品的编号
，第
3
部分为改进标志。
4)
索尼公司混合集成电路新命名法：
第
1
部分
第
2
部分
第
3
部分
3
个字母
4
位数字
2
个字母
第
1
部分为索尼公司混合集成电路标志，
（在
1987
年
1
月以前混合集成电路前缀用
SBX
或
BX
）
。
例
BX
－<
/p>
1452
，在上述日期以后研制的则都用
SBX
即
SBX1435
、
SBX1475
。
<
/p>
4
．日本三菱公司半导体集成电路型号的命名
1.
第
1
部分
第
2
部分
第
3
部分
第
4
部分
第
5
部分
第
6
部分
1
个字母
1
位数字
1
位数字
2
位数字
1
个字母
1
个字母
例
M 5 1 94 A P
第
1
部分：表示日本三菱电气公司集成电路
产品。
第
2
部分：
数字
“5”
表示工业用／消费类
产品，
其工作环境温度范围为
（－
20
～
75
℃
标准
）
，
数字
“9”
表示高可靠
（军
用）型。
第
3
部分：其数字分别表示为
< br>
0
：
CMOS
电路
. 1
～
2
：线性电路
3
：
TTL
电路
10
～
19
：线性电路
32
～
33
：
TTL
电路
(
与
TISN74
系列相同
) . 41
～
47
：
TT
L
电路及其它
48
< br>～
49
：
I2L
集成注入逻辑电路
. 84
：
CMOS
电路
85
< br>：
P
沟道硅栅
MOS
电路
. 86
：
P
沟道铝栅
MOS
电路
87
：
N
沟道
硅栅
MOS
电路
88
：
P
沟道铝栅
EDMOS
电路
89
：
CMOS
电路
<
/p>
S0
～
S2
：肖
特基
TTL
电路（与
TISN74S<
/p>
系列相同）
第
4
部分：此部分由位数组成，表示系列中电路类型。
第
5
部分：由单个字母组成，表示外型不同及下
列某些器件特性：
a.
对于
线性电路是字母表中的一个字母，按字母顺序选用但不包括字母
I
及
O
，这些字母用作标志器件，有些
规格是不相同的。
b.
器件的技术规
格完全相同，仅有引脚弯曲方向不同，指定用字母
“R”
表示。
c.
当不需要此组标志时，下一组立
即向左移到
4
组后面。
第
6
部分：表示封装型式，其字母意义如下：
K
：低熔点玻璃封口陶瓷封装；
?L
：注塑单列直插式封装；
?P
：注塑双列直插式封装；
?S
：金属陶瓷封装；
SP
：
注塑缩型双列直插式封装；
?FP
：注塑扁平型封装
（
2
）第
1
部分
第
2
部分
第
3
部分
第
4
部分
第
5
部分
第
6
部分
1
个字母
1
位数字
1
～
2
个字母
4
位数字
1
个字母
1
～
2
位数字
例
M
5 K 4116 S
－
2
第
1
部分：表示日本三菱公司集成电路。<
/p>
第
2
部分：温
度范围：
“5”
表示标准工业／商业用其工作温度范围为
0
～
70
／
75
℃
或－
20
～
85
℃
，
“9”
表示高可靠。
第
3
部分：原产品的系列标志（仿制品）用
1
或
2
位字母
C
：莫托罗拉公司
MC
系列；
?G
：通用仪器公司系列；
?L
：英特尔公司系列；
?T
：德克萨斯公司系列；
?W
：
西方数
字公司系列；
?K
：
MK
系列
第
4
部分：原产品型号名称的电路功能识别码。
第
5
部分：封装型式，用
1
～
2
位字母表示。
K
：玻璃封口陶瓷封装；
?P
：注塑封装；
?S
：金属封口陶瓷封装；
?SP
：注塑缩形封装；
?FP
：
注塑扁平封装；
B:
树脂双列直插式；
L:
塑料单列直插式
;
T:TO-5
封装；
Y:
TO-3
封装
(3)
封装标志，封装型式可用下列简单的数字字母编码来规定：
第
1
部分
第
2
部分
第
3
部分
第
4
部分
例
24 P 4
B
第
1
部分
：表示引脚数。
第
2
部分：表示封装结构，字母
“K”
表示玻璃封口陶瓷封
装，字母
“P”
表示注塑封装，字母
“
S”
表示金属封口陶瓷
封装。
第
3
部分：表示封装外型，数字
“2”
表示无散热片扁平型，数字
“4”
表示无散热片双列直插式（改进型）
，数字
“5”
表示无散热片单列直插式封装，数字
“10”
< br>表示无散热片双列直插式（石英封装）
。
第
4
部分：表示其它封装型式，字母
“Z”
表示单列
Z
形分布直插
式，字母
“B”
表示收缩型双列直插式封装。
< br>
5.
日本富士通公司
??
组件
?
????
序号
??
性能
??
封装形式
第一部分
?
?
第二部分
??
第三部分
?
?
?
第四部分
???
例：
MB 3741 L C
组件：
MB-
微型，
MBM
－改进
型
电路性能：
Y ,E ,H
,L(
低功耗）
封装形式：
C-
陶瓷，
P-
塑料，
Z
－陶瓷浸责
6.
日本日立公司
种类
用途
序号
改进型标志
封装形式
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
第五部分
例：
HA 12 401 AP
电路种类：
HA-
模拟电路；
?HD
-
数字电路；
?HM
-
存储器电路；
?HN
-ROM
电路
用途：
11
、
12
－高频；
?13
、
14
－低频；
?17
－工业
改进标志：
A
、
B
、
C...
封装形式：
P-
塑料封装；
?M
-
金属封装；
?C
-
陶瓷封装
；
?R
-
引脚反接
7.
日本三洋公司
种类
功能
序号
第一部分
第二部分
第三部分
例：
LA
?
41
?
00
电路种类：
LA-
双极线性电路；
LB-
双极数字电路；
LD-CMOS
电路；
LM-
PNMOS
电路、
LE-SMNCMOS
电路；
STK-
厚膜电路。
功能：
12
－高频放大电路；
32
－前置放大电路；
33
－
调频解码器；
41
、
44
－功放电路；
55
－直流电机调速电路。
8.
日本东芝公司
种类
功能
序号
改进标志
封装形式
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
第五部分
例：
TA
?
7
?
268
?
AP
电路种类：
TA-
双极型电路；
TC
-CMOS
电路；
TD-
双极型数字电
路；
TM-MOS
电路；
序号分类：
4
－
CMOS
4000
系列电路；
7
－模拟电路
封装形式：
P-
塑料封装；
?C
-
陶瓷封装；
?F
－扁平封装
9
．日本电气公司
uP
功能
序号
封装形式
改进标志
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
第五部分
例：
uP
?
3176
?
< br>A
?
Q
电路种类：
A
－分立器件；
?B
－双极型数字电路；
?C
－线性电路；
?D
－
CMOS
电
路
封装形式：
C
－塑料双列直插封装；
D
－陶瓷双列直插封装；
G
－扁平封装；
H
－塑料
单列直插封装；
V
－单列直
插偶脚弯折
封装。
10.
美国仙童公司
种类
序号
电器等级
封装形式
温度范围
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
第五部分
例：ｕ
A
?
741
?
AHM
电路种类：
uA
－线性电路；
SH
－混合电路
封装形式：
D
－双列直插式陶瓷封装；
E
－塑料外壳；
F
－扁平封装；<
/p>
H
－金属管壳；
J
－金属功率型封装（
TO-3)
；
R
－陶瓷小型双列直插式；
S
－陶瓷双列
直插；
T
－小型双列直插式；
U
－功率型封装
（
TO-220),
塑料封装
（
TO-92).
温度范围：
C
－
0
～
75
℃
(CMOS40~
85
℃
)
，
L
－
MOS-5~125
℃
11.
美国无线电公司
类型
序号
改进标志
封装形式
第一部分
第一部分
第一部分
第一部分
例：
CA 3176
AQ
类型：
CA-
模拟电路，
CD-
数字电路，
CDP-
微处理器，
MWS
－
MOS
电路
改进标志：
A
、
B
－可以代换原型号的改进型，
C
－不能代换原型号的改进型
封装形式
：
D
－陶瓷双列直插式封装，
E-
塑料双列直插式封装，
F-
陶瓷双列直插式
封装
(
玻璃密封）
，
< br>L-
梁式引线
器件，
Q-
四列直插式塑料封装，
S
－双列直插式（外引
线）
TO-5
型封装，
T-TO-5<
/p>
型封装，
EM-
带散热片的改进
型双列直插式塑料封装。
12.
美国国家半导体公司
类型
序号
封装形式
第一部分
第二部分
第三部分
例：
LM
?
1126
?
< br>N
种类：
LM
－模拟电路；
LF
－线性电路；
LH
－混合电路；
LP
－低功耗电路
；
TBA
－仿制电路。
封装形式：
D
－玻璃、金属双列直插式；
G
－
TO-8
金属壳；<
/p>
H
－
TO-5
型
金属壳；
N
－塑料双列直插式。
13.
美国摩托罗拉公司
种类
序号分类
序号
改进型
封装形式
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
例：
MC
?
13
?
06
?
AP
种类：
MC
－已封装产品；
MCC<
/p>
－未封装的芯片；
MCCF
－反装芯片；
MCM
－存储器；
LM
－仿
LM
系列芯片电
路；
NMS
－存储器系统。
< br>序号分类：
13XX
－模拟电路；
14XX
－仿
CD4000
系列的<
/p>
CMOS
电路；
58XX
－八位
uC
系列电路；
60X
X
－十六
位
uC
系列电路。
封装形式：
F
－陶瓷扁平封装；
P
－塑料双列直插式封装；<
/p>
L
－陶瓷双列直插封装；
U
－陶瓷封装；
G
－
TO-5
型封
装；
K
－
TO-3
型封装；
T
< br>－
TO-220
型封装。
14.
美国史普耐格公司
种类
温度范围
序号
封装形式
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
例：
UL
?
N
?
3705
?
A
种类：
UL
－线性电路；
UG
－霍尔效应电路；
UD
－显示电路；
UCN
－
CMOS
电路
。
温度范围：
N
－
25
℃
～
70
℃
;?S
－
55
℃
～
150
< br>℃
封装形式：
A
－塑料双列直插封装；
B
－带散热器塑料双列直插封
装；
C
－片状封装；
D
－
TO-99
型封装；
E
－只
有
1
、
4
、
5
、
8
脚双列塑料封装；
M
－
塑料双列直插式（
8
脚）封装；
R
－陶瓷双列直插式封装。
15
．美国模拟器件公司
AD
电路序号
温度范围
封装形式
模拟器件
第二部分
第三部分
第四部分
温度范围：
A
、
B
、
C
－工业用；
J
、
K
、
L
－商业用；
S
、
T
、
U
－军用。
封装形式：
D
－陶瓷双列直插封装；
F
－陶瓷扁平；
H
－
TO-5<
/p>
金属园壳。
UCC
型号
含义
UCC
□
80
□
?
1
2
□
3
含
说
1
：
温度范围
义
明
2
：
序列号
3
：
封装形式
16.
欧洲电子联盟
种类
温度范围
序号
封装形式
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
例：
TD A
?
2527
?
Q
种类：
TD
－模拟电路；
UD
－模拟
/
数字混合电路；
< br>SD
－非系列电路。
温度范围
：
A
－无明确规定范围；
B
－
0
℃
～
70
℃
；
C
< br>－－
55
℃
～
< br>125
℃
; D
－－
25
℃
～
70
℃
；
E
－－
25
℃
～
85
℃
;F
－
-40
℃
～
85
℃
;G
－
-55
℃
～
85
℃
。
封装形式：后缀为一个字母，
C
< br>－园片形封装；
D
－陶瓷双列封装；
F
－扁平封装；
P
－塑料封装；<
/p>
Q
－四列引线
封装；
U
－芯片封装；后缀为两个字母，第一个字母
C
、
D
含义不变；
E
－带散热片功率型双列引线封装；
F
－二
排引线扁平封装；
G
－四排引线扁平封装；
K
－菱形
TO-3;M
－多层引线封装（双列、三列、四列除外）
Q
－四列<
/p>
引线封装；
R
－带散热片功率型四列引线
封装；
S
－单列引线（
TO-127<
/p>
、
TO-220
系列）
< br>；
T
－三列引线封装。后缀
为两
个字母的后一个字母，
C
－金属
/
陶瓷封装；
G
－玻璃
/
陶瓷封装；
M
－金属封装；
P
－塑料封装。
17.
德国西门子公司
种类
第一部分
温度范围
第二部分
序号
第三部分
种类：
T
－模拟电路；
S
－数字电路；<
/p>
U-
数字模拟混合电路。
温度范围：
B-
0℃～70℃；
C- -
55℃～125℃；
D-
-
25℃～70℃；
E- -25<
/p>
℃
～
85
℃
；
F- -40
℃
～
85
℃
；
G
- -55
℃
～
85
< br>℃
18.
德国德律风根公司
种
?
类
序
?
号
器件工艺
种类：
U
－集成电路
器件工艺：
B
－双极型；
M
－<
/p>
MOS
电路
其
它前缀符号
:
按欧洲电子联盟指定
第一部分
第二部分
第三部分
19.
英国普利斯半导体公司
种类
第一部分
序号
第二部分
改进标志
第三部分
封装形式
第四部分
种类
:MJ
－
N
沟道
MOS;ML
—
MOS
线性器件；
MN
－
NMOS
数字器件；
MP
－
MOS
数字器件；
MT
－
MOS
线性器件不带保护栅；
MV
－
CMOS
器件；
TA
A
、
TBA
、
TCA
、
TDA
－消费
性电路；
SL
－双极线性器件；
SP
－双极数字器件；
封装形式<
/p>
:CM
－
TO-5
金属园壳封装；
DC
－陶瓷双列引线；
DP
－塑料双列引线；
QG
－陶瓷四
列引线；
QP
－塑料
四列引线；
SP
－塑料单列。
20.
加拿大米特尔半导体公司
种类
序号
改进标志
封装与温
< br>种类
:ML
－线性器件；
MH<
/p>
－混合；
MT
－通信；
< br>MD
－数字；
MA
度范围
－模拟
/
逻辑阵列
。
改进标志：
A
、
B
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
封装与温度范围
:C
－陶瓷双列直插式（
-40
< br>℃
～
85
℃
)
；
E
－塑料双列直插式（
-40
℃
～
85
℃
）
；
F
－陶瓷双列直插式
（
-55
℃
～
125
℃
）
；
I
－小方快形
(-55
℃
～
125
℃
)
。
大规模集成电路公司
种类
第一部分
序号
第二部分
封装形式
第三部分
温度范围
第四部分
种类
:
除了乘法器以
MPY
表示以外，其
他电路都用
TDC
表示。
封装形式
:J
－陶瓷双列直插；
< br>N
－塑料双列直插。
温度范围
:M
－
?
-5
5
℃
～
125
℃
,
没有字标的为
0
< br>℃
～
70
℃
集成电路型号前缀与产地索引
AN
日本松下电器公司
BGD
，
BGJ
北京半导体器件研究所
BW
北京半导体器件五厂
BA
日本东洋电具制作所
BH
北京半导体器件三厂
BX
日本索尼股份公司
BG
北京半导体器件三厂
BJ
北京电子管一厂
CA
美国无线电公司
CD
江南无线电器材厂
CF
常州半导体厂
CH
上海无线电十四厂
CX
、
CXA
、
CXB
、
CXD
、
CXK
、
CXL
、
CXP
、
CXQ
日本索尼股份公司
D
江南无线电器材厂
DG
北京
878
厂
DN
日本松下电器公司
EP
日本松下电器公司
F
上海无线电七厂
FD
苏州半导体器件总厂
FS
贵州都匀四四三三厂
FY
上海八三三一厂
IR
、
IX
日本夏普股份公司
HA
、
HD
、
HEF
、
HM
、
HN
、
HT
、
HZT
日本日立公司
ICX
、
IU
日本索尼股份公司
KA
、
KS
、
KT
、
KAD
、
KDA
、
KM
、
KSV
南朝鲜三星公司
LF
、
LH
、
LM
美国国家半导体公司
L
、
LA
、
LB
、
LC
日本三洋电机股份公司
M
日本三菱电机股份公司
MAF
飞利浦公司
MB
日本富士通
MC
美国莫托罗拉半导体公司
MN
日本松下电器公司
NJM
新日本无线电公司
NT
南通晶体管厂
PCB
、
PCF
飞利浦公司
SBX
日本索尼股份公司
SAB
、
SAS
西德西门子公司
SAA
西德
ITT
半导体公司、飞利浦公司
SD
北京半导体器件二厂
SF
上海无线电七厂
SL
上海半导体十六厂
SN
美国德克萨斯仪器公司
STK
日本三洋电机股份公司
TA
、
TC
、
TD
、
THM
、
TM
、
TMM
、
TMP<
/p>
、
TL
日本东芝公司
TB
天津半导体器件一厂
UL
、
ULN
、
ULS
、
ULX
美国史普拉格公司
TAA
、
TBA
、
TCA
、
TDA
、
TEA
欧洲联合共同体、西门子、西格尼帝克、史普拉格、德律风根、仙童、莫托罗拉、
飞利浦等
X
电子工业部第二十四研究所
XG
四川新光电工厂
ZC
南昌
746
厂
UA
美国仙童公司
UPA
、
uPB
、
uPC
、
uPD
日本电
气公司（
NEC
）
5G
上海半导体元件五厂
7CD
国营
777
厂
19A
上海无线电四厂
国际电子联合会半导体器件型号命名法
西德、法国、意大利、荷兰和比利时等参加欧洲共同市场的国家以及匈牙利、南斯拉夫、罗马尼亚、波兰等东欧
国家，大都采用国际电子联合会晶体管型号命名法。这种方法组成部分的符号及意义见表
。
在表中所列的四个基本部分后面，有时还加后缀，以区别特
性或进一步分类。常见的后缀有如下几类：
稳压二极管型号的后缀：
其后缀的第一部分是一外字母，表示稳压电压值的容许误差范围。其字母的意义如下：
国际电子联合会半导体器件型号命名法
第一部分
用字母表示使
用的材料
符号
A
意
义
锗材料
符号
A
B
B
C
D
R
硅材料
砷化镓
锑化铟
复合
材料
C
D
E
F
G
H
K
L
第
二
部
分
用字母表示类型及主要特性
意
义
检波，开关和混频二极
管
变容二极管
低频小功率三极管
低频大功率三极管
隧道二极管
高频小功率三极管
复合器件及其它器件
磁敏二极管
开放磁路中的霍尔元件
高频大功率三极管
符号
M
P
Q
R
S
T
U
X
Y
Z
意
义
封闭磁路中的
霍尔元件
光敏器件
发光器件
小功率可控硅
小功率开关管
小功率可控硅
大功率开关管
倍增二极管
整流二极管
筝压二极管即
齐纳二极管
一个
字母
加二
位数
字
第
三
部
分
用数字或字母加数
字表示登记号
符号
三
位
数
字
意
义
通用半导体
器件的登记
序号（同一
类型器件使
用
同一登记
号）
专用半导
体器件的
登记号（同
一类型器
件使用同
一登记号）
第四部分
用字母对同型
号者分档
符号
意义
同一
型号
器件
按某
一参
数进
行分
档的
标志
A
B
C
D
E
…
注：
小功率指热阻
RT
≤
15
℃／
W
：大功率指热阻
RT
≤
15
℃／
W
。
符号
A B C D E
容许误差
±
1
±
2
±
5
±
10
±
15
-egoist
-egoist
-egoist
-egoist
-egoist
-egoist
-egoist
-egoist
-
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