路西法英文-一汤匙
新型电子元器件、
集成电路和软件工程是电子信息技术发展的三大支柱，
任何一项状况都会
对信息技术产生重大影响。
< br>元源元件是电子元器件的主体，
门类繁多，
应用广泛。<
/p>
近些年发
展起来的新型元件尤为重要，得到了我国政府的大力支持
，成为当前新的经济增长点。
新型无源元件产业状况
200
1
年我国电子元件的产量为
2200
亿
只，销售额为
1084
亿元，进口
12
8
亿美元，出
口
94
< br>亿美元，
逆差达
34
亿美元。<
/p>
这表明我国生产的电子元件尚不能满足国内电子产品的需
求。尤其
是高档新型电子元件差距更大，这部份仍然依赖进口。据分折，预计到
2005
年我
国市场将需求电子元件
5000
亿只，其中大部份是新型电子元件。为了应对这种发展态势，
我国将大力支
持发展新型电子元件，如：表面贴装元件、敏感元件、光电子元件、微波介质
元件、声表
面波元件、新型机电
/
联接器
/
继电器、绿色二次电池等。到
2005
年，我
国新型
电子元件的产量将达到
4000
亿只。
新型电子元件技术状况
片式<
/p>
R/L/C
元件：
片式电阻器、
电感器、
电容器是片式电子元
件的主体。
目前己经发展成为规模庞大的产
业。虽然己经基本上
成形，门类齐全、标准化、系列化，但在技术上仍在不断地发展：封装
尺寸满足
EIA/EIAJ
标准的要求，并从
3216/
2012
发展到
1608/1005
，
进而向
0603
进展，其
应用主流尺寸
正在从
1608
向
1005
过渡，图
1
表示出了叠层陶瓷片式电容器
MLCC
的封装
尺寸发展趋势，
性能参数范围在不断扩大。
如：
最近日本的
Matsushita
公司研制成功大电容
量的多
层陶瓷电容器，
电容量最大为
100 F
，
最高耐压为
25V
，
可用于
LCD
显示器的电源线
路。在热稳定性方面，在
-55
℃
至
85
℃
的温度范围，这些电容的电容量
变化不超过
15%
。新
产品中的介电层
厚度是
1.8
m
，内部电极的厚度是
1.6
m
。未来，把介电层厚度做成
1 m
，
并
且逐渐把内电极做得更薄：
1.2
m
，
0.8
m
直至
0.5 m
，将能够提供电容量
更大的产品，例如
尺寸为
1005
的<
/p>
10
F
电容器。又如
< br>TDK
的
2012/1608
叠
层型片式电感器的电感量分别达到
220/100 H
。在工艺
上也在发展，如：为了节省昂贵的金属钯（约
20
万元
/
公斤）
，国外各主
要
生产厂家
都己开
始采用价
格较低
的金属
Ni
（
36<
/p>
元
/
公斤）
或<
/p>
Cu
作为内电
极制作
BME-MLCC
，己占到总量的
90%
< br>以上。
Ni
电极浆料成本约为钯电极浆料成本的
60%
，电容
器成本可降低
20%
，成为当今
MLCC
生存竞
争的热点。我国在这方面刚刚起步，形势极其
严峻。
日本
TDK
公司采用
Ni
电极开发出
B
特性
100 F
大容量多层陶瓷电容器。
该种多层陶
瓷电容器，
通过进一步进行材料超细化和高分散化，
提高了可靠性。
运用介质材料的薄层化
和高精度叠层技术，数百层的叠层体与内部电极
组合在一起，使介质成为无缺欠的烧结体，
并采用独特的排胶和烧结技术来实现的。
另一发展趋势是高频化和组件化。
为
了适应以移动通信为代表的无线数字交换系统向微
波频段发展的需求，片式
R/L/C
的频率已发展到
3GHz
以上；为了节省
PCB
占用面积和提
< br>高性能，己经推出了阵列
/
组合件产品，如电容排、电感
排、
LC
滤波器、
RC
组件等；为了
适应电源线的要求，承受电流已提高到
6
A
以上。
铝
/
钽电解电容器和薄膜电容器是不可缺少的电子元件之一，它们的电容量很大，无可
替代。但由于其结构特点，片式化较迟，近几年才有较大的突破。目前己有系列的片式铝< p>
/
钽电解电容器和薄膜电容器面市，而且在降低
E
SR
和提高
SRF
方面有很大进展。同
时，为
了降低成本，铌电解电容器也崭露头角。
敏感元件
在信息技术中，处处离不开各种特
性传感器，而传感器的心脏就是各种敏感元件，如：
温敏、
电压
敏、
力压敏、
湿敏、
气敏、
化学敏、
生物敏等等。
其中以温敏和压敏应用最广
泛，
己形成规模产业。
在温敏元件中，
主要有三种，
即：
CPTCR
（陶瓷正
温度系数热敏电阻器）
、
CNTCR
（
陶瓷负温度系数热敏电阻器）
、
PPTCR
（高分子聚合物正温度系数热温电阻器）
。
前些年
CPTCR
和
CNTCR
都是引线型结构，应用于电视机等许多电子产品中，但具有体积
较大，热惯性较大，不
能应用于
SMT
电路等缺点。近年来由于陶瓷叠层共烧技术的发
展和
应用，
已将
CPTCR
和
CNTCR
片式化，
制
出了叠层型片式产品，
其封装尺寸系列与片式
R/L/C
一样均满足
EIA/EIAJ
标准要求。叠层
型片式
CPTCR
相当于若干个热敏电阻的并联，从而
减少了电阻，提高了热响应速度，适用于现代
SMT
电路的电子产品，如大电流
IC
、半导体
< br>功率管等的热保护，效果非常良好。
2000
年全球产销
量达
8
亿只。引线型块状
CNTCR<
/p>
难
以同时保持高
B
值和低电阻，而且体积大。
采用陶瓷叠层共烧技术制出的叠层
型片式
CNTCR
则克服了这个缺点。如西门子的
C1621
型叠层型片式
CNTCR
的电阻降到几十殴姆时，其
B
值仍能保持在
3500
以上。这种
产品的特点是温控精度高，适
用于某些要求在固定温度范围内才能正常工作的电子元器件，
如大量使用的温补晶体振荡
器。
国外各大公司都有系列产品问世，
国内深圳顺络公司也开发
成功，
电阻为
100
< br>殴姆时
B
值保持在
3150
左右。
半导体
ZnO
陶瓷压敏电阻器己有多年历史，
应用范围广泛，
特别是在中压
和高压电器的保护和防雷电中，
受到人们的青睐。
但由于其压<
/p>
敏电压与两个电极之间的距离成比例，因而块状结构的
ZnO
压敏电阻器在体积和低电压方
面均不可能满足现代电子产品的要求。
近年来人们利用陶瓷叠层共烧技术，用掺杂
ZnO
半
导体陶瓷材料制造出了其结构与
MLCC
完全相同
的叠层型式片
ZnO
压敏电阻器。
其特
点是：
压敏电压低，可低达
2V
左右，
通流量大，响应速度快，达
300pS
；可靠性高，电容量的选
择范围大，包括相当低的电容量以满足高速数据线的要求。其封装尺寸系列有
1005
（
0402
）<
/p>
/1608(0603)/2012
（
0
805
）
。这种产品适合于各种集成电路、
MOSFET
、
I/O
接口、功放
等过
电压保护，发展前景十分广阔。有人预测今后几年增长速度可达
30%
。我国相对发展缓慢，
但一些公司如深圳顺络公司己
生产出这种产品。
PPTCR
是在高分子聚合物中加入导电颗粒
复合而成，主要做为自恢复熔断器，应用非常方便。
EMI
对策元件
我国加入
WTO
后，与世界经济接轨，所有
电子
/
电力产品都必须达到电磁兼容
E
MC
的
标准才能进入市场。
为此，
在产品设计中必须采用一些适当的抗电磁干扰的
EMI
对策元件。
电磁兼容是一项系统工程，
防止电磁干扰
是其核心内容。
电磁干扰的发生、
传播、
和抑制是
相当复杂的，因而
EMI
对
策元件的品种繁多，性能各异。如，电感性
EMI
元件（电感器
、
磁珠、磁珠排、共模扼流圈、差模扼流圈等）
、电容性
EMI
元件（电容器、串心电容器、三
端电容
器、
X2Y
电容器等）
、组合式
EMI
元件（
LC
滤
波器、
LC
陷波器、三端磁珠
-
电容器、
三端电阻
-
电容器、压敏
-
电容器等）
。由于市场
的强劲需求，世界各大电子元件公司都投入
了大量人力物力开发这一领域，
进展异常迅速，
其主要发展方向是高频化
（由于电子
产品向
高频发展）
、微小型化、多功能组合化和集成化。例如：
Murata
公司在三端片式电容器（叠
层型片式穿心电容器）的基础上，又开发出了含有电阻的三端片式电容器
NFR
系列、含有
电感的三端片式电容器
NFW
系列、含有两个磁珠的三端片式电容器
NFL
系列、以及
Ni
内
电极大电流
（
6A
）
大容量
（
1 F
）
系列等
，
铁氧体簿膜共模扼流圈的封装尺寸为
3.2 1.5 1.1
5mm
，
在
100MHz
时，其共模阻抗可达
550
，而同时其差模阻抗不
超过
10
，特别适用于高速数字
信号线
，叠层型片式三绕组共模扼流圈的尺寸仅为
2.5
2.0 <
/p>
1.2mm
，它可以非常有效地在音
频信
号线上抑制来自高速数字电路的高频噪声而不会造成声音的畸变和串音，
在最新款式的<
/p>
袖珍音影电子产品中，如
MP3
，十分受
欢迎，薄膜扼流圈阵列尺寸为
3.2 1.6 1.15mm
，
内部
封装了两个共模扼流圈；
TDK
将
一个共模扼流圈和一个差模扼流圈封装在一起，尺寸仅为
3.2 2.5 2.3mm<
/p>
；
英国
Syfer
公司将两个
Y
电容器和一个
X
电容器集成在一起，
构成一个叠层
型片式
X2Y
电容组件，
同时抑制共模和差模噪声
，
其封装规格为
2012
（
0805
）
和
3216<
/p>
（
1206
）
，
用于
DC
电源滤波器，美国
A
VX
公司深入研究了叠层型片式穿心滤波电容器
（
Feed through
Filter
Capacitor
）
，经过精确设计内电路，将
70%
的寄生支路电感转移成输入
/
输出线上的串
联电感，起到一个
T
形低通滤波器的作用，从而显著地提高了自谐振频率，加宽了对噪声
抑制的
频宽和强度。该公司还开发了一种新材料，用叠层技术解决了
R-C
组合问题，避开
了陶瓷膜
银电极
钌系电阻膜共烧的复杂工艺，
开发出了一系列称之为
|Z|
产品的组件，如
< br>R-C
组件、
R-C-R
低通滤
波器及其阵列等。
由于我国严格执行电磁兼容法规的
工作开展较晚，因而
EMI
对策元件的研制与生产也
很簿弱。在与国际经济接轨浪潮的推动下，我国
EMI
对策元件产业迅速发展起来，已经出
现了一些专业厂家。
频率元件
这类元件主要包括滤波器、延迟线
、振荡器、谐振器等。从类型来分，主要有石英晶体
类、声表面波
(SA
W)
类、微波陶瓷介质类和叠层型
LC
组合件类。石英晶体器件在移动通信
的强劲推动下，向
表面贴装型和小型化方面取得很多进展，如：温补晶体振荡器
TCXO
< br>的
主流尺寸己从
9×
7×
2mm
过渡到
7×
5
×
1.7mm
，
并己出现了
5×
3.2×
1.5mm
的新产品。
压控晶体
振荡器的尺寸缩小到
5×
3×
1mm
。
< br>SA
W
（声表面波）滤波器在彩电和移动通信中最早获得
广
泛应用。前些年由于叉指换能器加工精度的限制，这类器件的工作频率最高仅为几百兆
赫。
近年来，借助半导体微细加工技术，可以将叉指换能器的线距做到亚微米级，从而将
SA
W
滤波器的频率提高到
2GHz
以上。
近来又开发了新型衬底材料，
如金刚石薄膜，
能够将
SA
W
的频率进一步提升。例如美国
SA
< br>WTEK
公司可以提供频率高达
3GHz
的各种
SA
W
产品，
其
SAW
双工器尺寸为
5.0×
5.0×
1.5mm
，
体积比第一代同类产品缩小了
74%
，
重量减少了
75%
，
仅是陶瓷双工器重量的
3%
，满足了
T
DMA/CDMA
的要求。有媒体报导说：富士通实验室
和富士
通媒介公司开发出一种适用于
5GHz
工作的移动和无线接入通
信设备的
SA
W
滤波器，
其体积为
2.5×
2.0×
1.0mm
，频率可至
5.0×
5.8
GHz
，带内插损小于
3dB
。近来美
国安捷伦
（
Agilent
）研制成功
了薄膜体声波谐振器
FBAR
（
Fil
m bulk acoustic resonator
）
，它
是在压电
薄膜的两面制备导电电极，
施加电压，
在薄膜内激励体声波，
其传播速度比表面声波快，
波<
/p>
长较长，因而其结构可以制作的更加精细。这种
FBAR
元件具有频率高、
Q
值高、体积小、
承受功率大、
换能效率高等诸多优点，
而且与半导
体工艺兼容，
容易与其它元器件集成。
利
用
FBAR
可以制作滤波器、双工器、振荡器等多种高性能小
体积表面贴装型微波器件，带
来突破性进展，其电性能己能达到
3G
移动通信的要求。该公司最新推出的
ACPF-7001<
/p>
型
滤波器尺寸为
3×
3×
1.1mm
，在
1850
～
1910MHz
通带内插入损耗小于
3.5dB
，在
1930
< br>～
1990MHz
接收带内衰减大于
40dB
；
在一般
CDMA
手机中通常要使用两个
SA
W
滤波器和一
路西法英文-一汤匙
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