留学大学出国条件马佐平院士个人简历

马佐平院士个人简历

姓

名

马佐平

性别

男

出生年月

1946

年

毕业学校

台湾大学电机系学士

耶鲁大学电机系硕士、博士

联系方式：

电话：

1 (203) 432-4211

传真：

1 (203) 432-7769

邮件：

@

工作和职务：

美国国家工程院院士

耶鲁大学电机系讲座教授

耶鲁大学电机系系主任

耶鲁大学微电子研究中心共同主任

北京大学－耶鲁大学微电子及纳米技术联合研究中心共同主任

在中国的兼职情况：

中国科学院名誉教授

清华大学，天津大学，山东大学，福州大学名誉教授

北京大学客座教授

信产部十五，十一五规划顾问。

目前研究项目：

>

Advanced Gate Dielectrics

>

Flash Memory Devices

>

MIS Devices Based on SiC, GaN, GaP, SiGe, and InAs

>

Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy (IETS)

>

Ferroelectric Thin Films for Memory Technology

近期主要成就：

2003

年当选美国国家工程院院士，

为当年

获选的

77

人中唯一的华裔院士。

2005

年获世界电子与电机工程学会“

安德鲁。

葛洛夫大奖”

，此奖

每年只颁发给 一名给对计算机科

技有卓越贡献的世界级研究者。

2006

年获美国半导体协会“大学研究大奖”

其它获奖情况：

a Harding Bliss Prize from Yale University

GE Whitney Lectureship from General Electric

Yankee Ingenuity Award from the State of Connecticut

BF Goodrich Collegiate Inventor’s Winner’s Advis

or Award (twice)

the Paul Rappaport Award from the IEEE Electron Device Society

在美国及国际主要学术刊物上发表 近

200

篇学术论文：

（以下是代表作）

High-k Dielectrics,

IEEE Trans. Electron Devices,

VED-51(1), 98-105 (2004).

2

and HfAlO,

Appl. Phys.

Lett.

,

83

(13), 2605 (2003).

. Ma, et al.,

paper 8.7,

Technical Digest of International Electron Device Meeting

, Washington DC., Dec.

5-8 (1999).

. Ma,

IEEE Trans. Electron Dev.,

45

, 680 (1998).

马佐平院士也是

IBM, Intel, HP,

日立

,

东芝

,

台积电

,

旺宏电子等国际大公司的高级科技顾

问

.

附件：一些对马教授的报道：